Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories
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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

Device Physics and Applications
Byung-Eun Park
Springer Netherlands
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ISBN-13:
9789402408416
Veröffentl:
2016
Seiten:
347
Autor:
Byung-Eun Park
Serie:
131, Topics in Applied Physics
eBook Typ:
PDF
eBook Format:
EPUB
Kopierschutz:
1 - PDF Watermark
Sprache:
Englisch
Systemvoraussetzungen
Beschreibung:

This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric memory has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact.
PrefaceI. Operation Principle of One-Transistor Type Ferroelectric-gate Field Effect Transistors

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