La progression de l'intégration à très grande échelle permet de placer des milliards de transistors et de composants sur une seule puce semi-conductrice pour la mise en ¿uvre de circuits complexes. La technologie récente s'oriente vers la miniaturisation des dispositifs à semi-conducteurs, qui présentent plusieurs inconvénients notables en matière de dissipation de la chaleur, de consommation d'énergie, de surface de la puce et d'efficacité des dispositifs. Au fur et à mesure que la technologie progresse vers le niveau submicronique, la taille des caractéristiques, la dissipation d'énergie due au courant de fuite augmente à un rythme alarmant. De nombreuses projections montrent que la puissance de fuite deviendra analogue à la dissipation de puissance dynamique dans les années à venir ; cependant, la puissance dynamique augmente également et reste dominante. La solution optimale pour résoudre ces problèmes consiste à analyser les performances des circuits VLSI conçus à l'aide de différentes technologies CMOS.